設(shè)備型號(hào)：ET12-XS2E2S1A
應(yīng)用范圍：化合物半導(dǎo)體、功率器件、MEMS、先進(jìn)封裝、射頻集成電路
主要特點(diǎn)：
設(shè)備特點(diǎn)：
1、利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學(xué)液，可以有效的提高刻蝕均勻性
2、分層式反應(yīng)腔體設(shè)計(jì)，可以在同一腔體中噴灑多種化學(xué)液，并能有效回收，節(jié)約化液
3、疊層控制，占地面積小，最多可配置4個(gè)刻蝕單元
主要參數(shù):
| 主要參數(shù) | 片盒數(shù)量 | 2CS&2LP |
配置 | 4 Etch unit | |
wafer 類型 | 圓片 | |
| wafer 尺寸（mm） | 50-300 | |
| 產(chǎn)能（WPH） | 90 | |
| 化學(xué)藥液 | H2O2、強(qiáng)酸堿 | |
| 襯底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4 | |
| 適用工藝 | Wet Etch | |
| 干燥模式 | Spin Dry+N2 Dry |
歡迎關(guān)注公眾號(hào)
在線咨詢
電話聯(lián)系