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Micro-LED的封裝方式是使用單顆像素進行獨立封裝，可以將拼接產品的邊框做窄且可以做到拼接縫隙用人眼無法識別，因此在超大尺寸顯示應用市場優(yōu)勢明顯，有望在高端會議、商業(yè)顯示、演播室等場景獲得廣泛應用。在生產制程中，大尺寸屏幕通常是由許多個窄邊框的小尺寸屏幕拼接而成，因而可以制作任意尺寸大小的屏幕，如下圖所示：

由此可見，小尺寸屏幕的拼接工藝在Micro LED大尺寸顯示屏幕的生產中尤為重要。在將小尺寸拼接成大尺寸屏幕時，拼接縫隙過大會嚴重影響顯示面板的畫面整體性，為實現(xiàn)Micro LED顯示產品的無縫拼接和自由擴展，需采用讓邊框達到微米級水平的側邊走線技術。

側面走線技術，即用側面引線的方式將基板正背面的線路導通。簡單來說，采用常規(guī)Sputter技術將導電膜層附著在基板側面，再利用激光將導電膜層刻開，形成線路。

大族半導體結合自主研發(fā)的ICICLES等工藝技術，開發(fā)出一套集保護膜切割、玻璃基板切割、激光清洗、線路刻蝕等應用的大屏拼接側面走線技術方案。其中，激光刻蝕設備采用紫外皮秒激光刻蝕線路圖案，不損傷對側線路、無刻蝕殘留。大族半導體量產刻蝕設備的線寬精度可達±2μm、拼接精度可達±5μm。

激光刻蝕設備

技術優(yōu)勢：

1、側面走線技術實現(xiàn)了商顯大屏拼接的超小間距，甚至無縫拼接的可能性；

2、市場新型顯示產品要求基板具備輕薄化、低功耗、高導熱率高穩(wěn)定性的綜合性能，側面走線技術使得玻璃基板在大屏拼接顯示技術上備受歡迎；

3、核心激光加工工藝采用皮秒激光即可實現(xiàn)目前市面上絕大部分導電膜層的加工，具有非常誘人的成本優(yōu)勢。

截止到目前，大族半導體已完成Micro LED激光剝離、巨量轉移、巨量鍵合、激光修復、大屏拼接玻璃基板加工等核心設備的研發(fā)和生產。隨著顯示產業(yè)發(fā)展進程的不斷推進，我們也持續(xù)對自己提出更高的技術要求，不斷優(yōu)化產品，從產品性能，成本控制等多方面實現(xiàn)突破，為實現(xiàn)Micro LED顯示器的量產作出貢獻，促進新型顯示產業(yè)高質量發(fā)展。