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為了提升并確保Micro LED顯示器的良率，檢測與修復(fù)是制程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。在上一期激光巨量鍵合技術(shù)的專題中，我們提到Micro LED各工藝制程環(huán)節(jié)中均穿插了AOI檢測、激光去除和激光修補(bǔ)的動作，本期將會詳細(xì)講解Micro LED激光修復(fù)工藝，此工藝包含了激光去除和激光轉(zhuǎn)移修復(fù)。

小間距、微尺寸是目前顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，隨著芯片間距和芯片尺寸的縮減，良率和精度的控制成為了目前的技術(shù)難點(diǎn)。當(dāng)Micro LED芯片產(chǎn)生損壞，如何在數(shù)百萬甚至數(shù)千萬顆微米級芯片中對不良進(jìn)行高效修復(fù)是一大挑戰(zhàn)。

Micro LED激光修復(fù)工藝首先要對生長基板上的不良芯片進(jìn)行第一次去除，再用激光剝離設(shè)備將生長基板上的芯片剝離到臨時(shí)基板上，然后針對臨時(shí)基板上的不良芯片再次進(jìn)行去除，并將新的好的芯片轉(zhuǎn)移到臨時(shí)基板上；之后采用我們之前介紹到的激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備和激光巨量鍵合設(shè)備使芯片在TFT基板上形成RGB排布且實(shí)現(xiàn)電性相連，最后針對TFT基板上的不良芯片進(jìn)行去除，再將新的好的芯片逐一轉(zhuǎn)移到TFT基板上，至此Micro LED修復(fù)工藝制程結(jié)束。

對應(yīng)Micro LED制程，大族半導(dǎo)體針對激光修復(fù)工藝各個(gè)核心環(huán)節(jié)的解決方案如下：

Micro LED激光修復(fù)工藝流程

1、激光去除：將整形后的激光光斑聚焦至defect chip上的釋放層，經(jīng)激光作用，defect chip脫落，實(shí)現(xiàn)單個(gè)defect chip剝離；

2、Pad cleaning：對去除芯片后的焊盤上焊料或者膠材進(jìn)行處理；比如：融錫隆起、In合金去除、膠材去除等；

3、激光轉(zhuǎn)移修復(fù)：運(yùn)用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的積累，利用特殊整形后的方形光斑，結(jié)合高速振鏡掃描，可以實(shí)現(xiàn)高速加工，將新的Chip逐一轉(zhuǎn)移到基板上；

4、Line cutting：采用Line cutting工藝將defect chip的連接線路切斷。

激光去除設(shè)備

設(shè)備特點(diǎn)：

● 去除效率高；

● 去除無Chip 殘留；

● 去除無UBM Short和缺失；

● 去除芯片后背板線路無損傷，不影響其電性能；

● Pad cleaning工藝一致性好。

激光轉(zhuǎn)移修復(fù)設(shè)備

設(shè)備特點(diǎn)：

● 可以加工振鏡幅面內(nèi)任意位置芯粒，加工方式靈活；

● 振鏡速度快，加工隨機(jī)分布的芯粒效率高；

● 由于加工方式靈活，可以隨機(jī)加工任意位置的芯粒，固體的加工方式更適合修復(fù)工藝；

● 光斑均勻性高于95%；

● 轉(zhuǎn)移修復(fù)承接效果好。

隨著顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程的不斷推進(jìn)，大族半導(dǎo)體將瞄準(zhǔn)行業(yè)發(fā)展趨勢，精準(zhǔn)把握發(fā)展契機(jī)，深耕技術(shù)創(chuàng)新，憑借自身突出的研發(fā)實(shí)力、創(chuàng)新實(shí)力、應(yīng)用實(shí)力等優(yōu)勢，突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)問題，助力Micro LED商業(yè)化應(yīng)用加速落地，為推進(jìn)顯示產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展貢獻(xiàn)源源不斷的力量。