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碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的杰出代表，憑借其高禁帶寬度、高熱導率及高擊穿場強等特性，已成為功率半導體（如MOSFET）及射頻器件的核心材料，廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)電源及5G通信等領域。然而，SiC晶圓的高硬度（莫氏硬度9.2）與化學穩(wěn)定性使其切割工藝面臨巨大挑戰(zhàn)，尤其是晶圓切割道上存在金屬Test key、SiO?等鈍化層或聚酰亞胺（PI）層時，傳統(tǒng)切割方案效率與良率難以兼顧。這一技術瓶頸，正成為SiC材料進一步拓展應用版圖的關鍵掣肘因素。

晶圓的切割方案有：刀輪切割、鉆石刀切割、激光燒蝕切割、隱形切割等。但面對SiC材料的高硬度和脆性特性，各類晶圓切割方案都存在各自的短板：刀輪切割存在刀具磨損嚴重、切割效率低下、切割損耗量大等問題；鉆石刀切割存在側壁垂直度差、產(chǎn)品兼容性差等問題；激光燒蝕切割存在加工效率低下、熱影響大、存在熔渣等問題；隱形切割存在晶圓背金及表層PI、金屬圖形等材料切割困難等問題。這些傳統(tǒng)的切割方案都難以滿足SiC晶圓高質(zhì)量高效率切割的需求。

目前行業(yè)主流的SiC晶圓切割方案為：隱形切割+輔助開槽。該組合方案具有較強的晶圓類型兼容性、工藝效果良好、加工效率較高等優(yōu)勢，但同時也存在設備數(shù)量多、工序復雜、設備維護成本高等不足。

針對上述現(xiàn)行方案的技術瓶頸，大族半導體憑借深厚的技術積累與創(chuàng)新能力，研發(fā)出Di-Sync^TM新型激光隱切技術，該新型技術是通過同步完成“內(nèi)部改質(zhì)+界面結構直寫”的激光加工工藝，實現(xiàn)全類型SiC晶圓的高效切割。

Di-Sync^TM新型激光隱切技術，在切割質(zhì)量、加工流程、加工設備、設備維護成本等方面實現(xiàn)全方位優(yōu)化提升。

? 優(yōu)異的切割效果，無蜿蜒、無崩邊；

? PI層、背金層無拉扯；

? 所有晶粒正常分離，無雙晶。

大族半導體自主研發(fā)的Di-Sync^TM技術，憑借精湛的工藝整合與突破性的設備創(chuàng)新，實現(xiàn)了SiC晶圓切割效率與成本效益的雙重飛躍，這一技術革新不僅大幅優(yōu)化了生產(chǎn)流程，更為下游器件制造提供高可靠性解決方案。Di-Sync^TM技術同時還在其他多種襯底材料的半導體晶圓上存在擴展應用能力。展望未來，Di-Sync^TM技術將成為引領半導體行業(yè)變革的關鍵力量，為半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展注入源源不斷的強勁動力。