隨著“中國制造2025”的持續(xù)推動，中國半導(dǎo)體行業(yè)對國產(chǎn)激光切割技術(shù)有著更高的要求，推動其朝著高效率、高精度、高質(zhì)量方向發(fā)展。
大族半導(dǎo)體憑借豐富的行業(yè)工藝經(jīng)驗，不斷探索激光切割應(yīng)用方案，隨著核心技術(shù)的提升及客戶需求多元化，迭代推出最新DA100激光切割系統(tǒng)（以下簡稱DA100）。
DA100是基于Ablation工藝原理進(jìn)行晶圓切割分離的系統(tǒng)，可對晶圓進(jìn)行表切（切深≤20μm,切寬可定制），半切（切深≤ 100μm，切寬≤20μm），全切（切深≤200μm，切寬≤30μm）三種分離制程，該系統(tǒng)有如下主要特點：
? 從源頭及加工過程中良好地抑制粉塵、熱影響、回熔、崩邊等對晶圓品質(zhì)造成影響的不利因素，極大提升產(chǎn)品的良品率。
? 進(jìn)一步提升加工能力，相較于傳統(tǒng)切割能力，可應(yīng)對200μm厚度以內(nèi)的晶圓產(chǎn)品（不同材質(zhì)切割效果會存在差異）。
? 可選多達(dá)5套光路系統(tǒng)方案，應(yīng)對不同材料的分離工藝。
設(shè)備參數(shù)
切割原理
激光加工原理：利用激光與材料相互作用產(chǎn)生的物理現(xiàn)象，包括熱學(xué)效應(yīng)與力學(xué)效應(yīng)進(jìn)行加工。隨著激光功率密度的增加，材料分別經(jīng)歷加熱、熔化、汽化過程。
工藝流程
支持高精度正背切功能，可應(yīng)對厚度更大產(chǎn)品。
技術(shù)優(yōu)勢
?涂覆品質(zhì)
涂覆均勻，能解決切割道膠體沉積不完整，芯片上殘留氣泡等問題，切割清洗后無污染。
?修邊工藝
可將回熔高度清理至≤3μm，通過特殊工藝可將回溶高度清理至更低。
? 切割能力
可應(yīng)對各種小尺寸晶粒切割需求（以100 μm thick GaAs產(chǎn)品切割效果為例）。
產(chǎn)品信息：
Wafer Size: 6’’
Wafer thickness:100μm thick GaAs
Street width:50μm
Street groove depth:15μm
Die pitch:180*180μm
Dicing width: 16±1μm
? 視覺系統(tǒng)
高清下CCD圖像系統(tǒng)優(yōu)化后分辨率可達(dá)0.8μm/pix，可調(diào)焦；防止正背切錯位情況出現(xiàn)。
? SEMI認(rèn)證
通過半導(dǎo)體設(shè)備SEMI認(rèn)證評估（CE SEMI-S2），使用更安全。
? 粉塵處理
5層防護(hù)，層層過濾，可應(yīng)對砷化鎵粉塵。
? 軟件功能
分區(qū)，輪次，多通道，多步距切割方式（可應(yīng)對各種小尺寸晶粒）
MPW晶圓切割方法
殘片及多片切割模式
刀痕對位，切透檢測功能
多達(dá)12步定制化涂膠清洗程序
未來，隨著我國激光應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展以及應(yīng)用深度的加深，將對激光切割技術(shù)提出更高要求。大族半導(dǎo)體將持續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新、工藝創(chuàng)新、產(chǎn)品創(chuàng)新為驅(qū)動，緊盯行業(yè)發(fā)展趨勢，滿足客戶專業(yè)切割需求，助推半導(dǎo)體行業(yè)激光應(yīng)用技術(shù)的飛速發(fā)展。
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